9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDU8770，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDU8770参考价格$3.184。onsemi FDU8770封装/规格：MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK。您可以下载FDU8770英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，这些数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDU6N50TU是MOSFET N-CH 500V 6A IPAK，包括卡套管封装，它们设计为以0.012102盎司的单位重量工作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供IPAK-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供89 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为35 ns，上升时间为55 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为6 A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds漏极源极导通电阻为900m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为25ns，典型接通延迟时间为6ns，沟道模式为增强。
FDU7N60NZTU是MOSFET N沟道MOSFET 600V 5.5A 1.25欧姆，包括600 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以0.012102盎司的单位重量工作。数据表注释中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，该N沟道提供晶体管极性功能，如N沟道，该器件还可以用作90W Pd功率耗散。此外，包装为管式，装置采用IPAK-3包装箱，装置具有1个通道数，安装方式为通孔，最低工作温度范围为-55℃，最高工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为5.5 a。
FDU8850是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK。FDU8850提供TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK、N通道20V 35A（Tc）49.5W（Tc）通孔TO-251AB。
FDU8856是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK。FDU8586提供TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK、N通道20V 35A（Tc）77W（Tc）通孔TO-251AB。
