9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STL7NM60N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STL7NM60N参考价格为6.982美元。STMicroelectronics STL7NM60N封装/规格：MOSFET N-CH 600V 5.8A 14PWRFLAT。您可以下载STL7NM60N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STL7N80K5带有引脚细节，包括MDmesh K5系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供封装盒功能，如PowerFlat-8，技术设计用于Si，以及1通道数的通道，该设备还可用于三重共源配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供42 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20.2 ns，上升时间为8.3 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为3.6 A，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.2欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为23.7ns，典型接通延迟时间为11.3ns，Qg栅极电荷为13.4nC。
带有用户指南的STL7N60M2，包括第2 V Vgs栅极-源极阈值电压，设计用于+/-25 V Vgs栅-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供典型的开启延迟时间功能，如7.6 ns，典型的关闭延迟时间设计为19.3 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为7.2 ns，器件的漏极-源极电阻为1.05欧姆，Qg栅极电荷为8.8 nC，Pd功耗为67 W，封装为卷轴式，封装外壳为PowerFlat-10，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最大工作温度范围为+150 C，Id连续漏电流为5A，下降时间为15.9ns，配置为1N沟道，沟道模式为增强。
带有电路图的STL7N6LF3，包括20A（Tc）电流连续漏极Id 25°C，设计用于60V漏极到源极电压Vdss，数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如MOSFET N沟道、金属氧化物、栅极电荷Qg Vgs，设计用于8.7nC@10V，除了432pF@25V输入电容Ciss Vds之外，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 175°C（TJ），该器件采用8 PowerVDFN封装盒，该器件具有Digi-ReelR交替封装，功率最大值为52W，Rds On Max Id Vgs为43 mOhm@3A，10V，系列为汽车，AEC-Q101，STripFET？F3，供应商设备包是PowerFlat？（5x6），Vgs最大Id为2.5V@250μA。
