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IPD65R250E6XTMA1是MOSFET N-Ch 700V 16.1A DPAK-2，包括IPD65R150系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于IPD65R2 50E6 IPD65R250E6XT SP000898566，提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及CoolMOS商标，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1通道数的通道，该器件具有1个晶体管型N通道，Pd功耗为208 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为9 ns，上升时间为9纳秒，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为16.1A，Vds漏极-源极击穿电压为700V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为230mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为76ns，典型接通延迟时间为11ns，Qg栅极电荷为45nC。
IPD65R380C6是MOSFET N-Ch 700V 10.6A DPAK-2 CoolMOS C6，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在700 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及CoolMOS商标，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为CoolMOS C6，该器件提供340 mOhms Rds漏极-源极电阻，该器件具有83 W的Pd功耗，部件别名为IPD65R380C6BTMA1 IPD65R180C6XT SP000745022，包装为卷轴式，包装箱为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为10.6 A。
IPD65R250E6是MOSFET N-Ch 700V 16.1A DPAK-2，包括1个通道数量的通道，它们设计为使用卷轴封装操作。IPD65R50E6XT IPD65R350E6XTMA1 SP000898566中使用的数据表注释中显示了零件别名，该产品提供XPD65R250等系列功能，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。
IPD65R380C6ATMA1带有EDA/CAD型号，包括TO-252-3封装盒，它们设计为使用Si技术操作。数据表说明中显示了用于卷筒的封装，该卷筒提供了零件别名功能，如IPD65R180C6 SP001117734，商品名设计为在CoolMOS中工作。
