9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF8252TRPBF,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF8252TRPBF价格参考1.886美元。Infineon Technologies IRF8252TRPBF封装/规格:MOSFET N-CH 25V 25A 8SO。您可以下载IRF8252TRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的,您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,如IRF8252TRPBF价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
IRF8252PBF是MOSFET N-CH 25V 25A 8-SO,包括管封装,它们设计为以0.019048盎司的单位重量运行,安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示,该SMD/SMT提供SOIC-8等封装外壳功能,技术设计为在Si中工作,以及1通道数量的通道,该器件也可以用作单四漏三源配置。此外,晶体管类型为1 N沟道,器件提供2.5 W Pd功耗,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为12 ns,上升时间为32 ns,Vgs栅源电压为20 V,Id连续漏电流为25 A,Vds漏极-源极击穿电压为25V,Vgs栅极-源极阈值电压为1.35V至2.35V,Rds导通漏极-漏极电阻为3.7mOhms,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为19ns,典型接通延迟时间为23ns,Qg栅极电荷为35nC,正向跨导Min为89S,并且信道模式是增强。
IRF822,带有HAR制造的用户指南。IRF822采用TO220封装,是IC芯片的一部分。
IRF823 H2,电路图由HARRIS制造。IRF823 H2采用DIP封装,是IC芯片的一部分。