9icnet为您提供NXP USA Inc.设计生产的PSMN013-30LL、115，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。PSMN013-30LL，115参考价格$10.832。NXP USA Inc.PSMN013-30LL，115封装/规格：MOSFET N-CH 30V 21A 8DFN。您可以下载PSMN013-30LL，115英文数据，引脚图，数据表数据表功能手册，数据包含二极管整流器的详细引脚图，功能的应用电路图，电压，使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如PSMN013-30LL，115价格，库存数量，数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
PSMN013-100YSEX是MOSFET N沟道100 V 13 mo FET，包括卷盘封装，它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作，数据表说明中显示了用于LFPAK-4的封装盒，该LFPAK-3提供Si等技术特性，信道数设计为在1个信道中工作，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为238 W，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为21 ns，上升时间为23 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为58 A，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，Vgs栅-源极阈值电压为3 V，Rds漏极-源极电阻为11mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为42ns，典型接通延迟时间为16ns，Qg栅极电荷为75nC，沟道模式为增强。
PSMN012-80PS是NXP制造的MOSFET N-CH 80V 74A TO220AB。PSMN012-80PS采用TO-220-3封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 80V 74A TO220AB。
PSMN012-80PS，127是NXP制造的MOSFET N-CH 80V 74A TO220AB。PSMN012-80PS，127可在TO-220-3封装中获得，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 80V 74A TO220AB、N沟道80V 74B（Tc）148W（Tc）通孔TO-220AB、Trans-MOSFET N-CH 80 V 74A 3引脚（3+Tab）TO-220AA导轨、MOSFET N-CH80V 11 mOhm标准MOSFET。
PSMN013-100PS是NXP制造的MOSFET N-CH 100V 68A TO220AB。PSMN013-100PS在TO-220-3封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 100V 68A TO220AB。
