福利
● TO-220全球最佳RDS
● 改进的门、雪崩和动态dV/dt
坚固性
● 充分表征电容和雪崩
面向服务架构
● 增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力
应用
● SMPS中的高效同步整流
● 不间断电源
● 高速电源开关
● 硬开关和高频电路
特色
- 针对分发合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
- 根据JEDEC标准进行产品鉴定
- 正常电平：针对10 V栅极驱动电压进行了优化
- 行业标准通孔电源组件
- 高载流能力封装（高达195 A，取决于管芯尺寸）
- 能够进行波峰焊接
IRFB3077GPBF
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A（Tc） 最大功耗: 370W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥4.63979
-
数量:
- +
- 总计: ¥4.64
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规格参数
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 漏源电流 (Id) @ 温度 120A（Tc）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 至220-3
- 供应商设备包装 TO-220AB
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 漏源电压标 (Vdss) 75 V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 220 nC@10 V
- 部件状态 过时的
- 最大功耗 370W (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 3.3毫欧姆@75A，10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 9400 pF@50 V
IRFB3077GPBF 产品详情
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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IRFB3077GPBF所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRFB3077GPBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRFB3077GPBF价格参考￥4.639787，你可以下载 IRFB3077GPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRFB3077GPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
