9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFSL4229PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFSL4229PBF参考价格$4.632。Infineon Technologies IRFSL4229PBF封装/规格：MOSFET N-CH 250V 45A TO262。您可以下载IRFSL4229PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，如IRFSL4229PBF价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IRFSL4227PBF是MOSFET N-CH 200V 62A TO-262，包括管封装，它们设计用于单位重量为0.084199盎司的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供封装外壳功能，如I2PAK-3，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供330 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-40 C，下降时间为31 ns，上升时间为20 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为62 A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds漏极漏极-漏极电阻为26mOhm，晶体管极性为N沟道，典型的关断延迟时间为21ns，典型的接通延迟时间为33ns，Qg栅极电荷为70nC，正向跨导Min为49S，沟道模式为增强。
IRFSL4010PBF是MOSFET N-CH 100V 180A TO-262，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.084199盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件也可以用作3.9毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，Qg栅极电荷为143 nC，该器件提供375 W Pd功耗，该器件具有封装管，封装盒为I2PAK-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，Id连续漏电流为180 a。
IRFSL4115PBF是MOSFET MOSFT 150V 99A 12.1mOhm 77nC，包括99 A Id连续漏极电流，它们设计为以通孔安装方式运行，数据表中显示了用于1信道的信道数量，该信道提供I2PAK-3等封装外壳功能，封装设计为在管中工作，以及375 W Pd功耗，该器件也可以用作77nC Qg栅极电荷。此外，Rds漏极-源极电阻为10.3 mOhm，该器件采用Si技术，该器件具有N沟道晶体管极性，晶体管类型为1 N沟道，单位重量为0.084199 oz，Vds漏极源极击穿电压为150 V，Vgs栅极-源极电压为20 V。
