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IRF6710S2TRPBF是MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET，包括卷轴封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于DIRECTFET-2，提供Si等技术特性，信道数设计用于1信道，以及单配置，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为15W，其最大工作温度范围为+175C，其最小工作温度范围是-55C，下降时间为6ns，上升时间为20ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为37A，Vds漏极-源极击穿电压为25V，Vgs栅-源极阈值电压为1.8V，并且Rds导通漏极-源极电阻为5.9mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为5.2ns，典型接通延迟时间为7.9ns，Qg栅极电荷为8.8nC，正向跨导Min为21S。
IRF6709S2TRPBF是MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在25 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。数据表说明中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N沟道，该器件还可以用作8.1nC Qg栅极电荷。此外，Pd功耗为21W，该器件采用卷筒封装，该器件具有封装盒的DirectFET-2，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，Id连续漏电流为39A。
IRF6709S2TR1PBF是由IR制造的MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1™ 等距S1封装是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1、N沟道25V 12A（Ta）、39A（Tc）1.8W（Ta）和21W（Tc）表面安装DIRECTFET S1。
IRF6710S2TR1PBF是由IR制造的MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET™ 等距S1封装是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET、N沟道25V 12A（Ta）、37A（Tc）1.8W（Ta）和15W（Tc）表面安装DIRECTFETS1、Trans MOSFET N-CH-Si 25V 12B 6引脚直接FET S1 T/R。
