9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF6798MTR1PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF6798MTR1PBF价格参考1.25美元。Infineon Technologies IRF6798MTR1PBF封装/规格：MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET。您可以下载IRF6798MTR1PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRF6795MTRPBF是MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET-MX，包括卷轴封装，它们设计用于SMD/SMT安装样式，商品名显示在数据表注释中，用于DIRECTFET，提供封装外壳功能，如DIRECTFET-3，技术设计用于Si，以及1信道数的信道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供2.8 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，下降时间为11 ns，上升时间为27 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为160 A，Vds漏极-源极击穿电压为25V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.8V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.4mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为16ns，典型导通延迟时间为16ms，Qg栅极电荷为35nC，正向跨导最小值为100S。
IRF6797MTRPBF是MOSFET 25V SINGLE N-CH 20V VGS MAX，包括20 V VGS栅极-源极电压，它们设计为在25 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供晶体管极性功能，如N沟道、商品名设计用于DirectFET以及Si技术，该器件也可以用作1.8毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，Qg栅极电荷为45 nC，该器件提供89 W Pd功耗，该器件具有一卷封装，封装盒为DirectFET-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏电流为210 a，配置为单通道。
IRF6797MTR带有由IR制造的电路图，是FET的一部分-单个。
