国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的工艺技术,以实现每个硅区域的最低导通电阻。这一优势,加上HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计,为设计者提供了一种适用于各种应用的极为高效的器件。
•第五代技术
•超低导通电阻
•P沟道Mosfet
•表面安装
•提供磁带和卷轴
•动态dv/dt额定值
•快速切换
特色
- 符合RoHS
- 低RDS(打开)
- 行业领先的质量
- 动态dv/dt额定值
- 快速切换
- 完全雪崩等级
- 175°C工作温度
- P沟道MOSFET
起订量: 1
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国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的工艺技术,以实现每个硅区域的最低导通电阻。这一优势,加上HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计,为设计者提供了一种适用于各种应用的极为高效的器件。
•第五代技术
•超低导通电阻
•P沟道Mosfet
•表面安装
•提供磁带和卷轴
•动态dv/dt额定值
•快速切换
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。