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IRFS4227TRLPBF是MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK,包括卷轴封装,它们设计为以0.139332盎司的单位重量运行,安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示,该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能,技术设计为在Si中工作,以及1通道数量的通道,该设备也可以用作单配置。此外,晶体管类型为1 N沟道,器件提供330 W Pd功耗,最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-40 C,下降时间为31 ns,上升时间为20 ns,Vgs栅极-源极电压为30 V,Id连续漏极电流为62 A,Vds漏极-源极击穿电压为200V,Rds漏极漏极-漏极电阻为26mOhm,晶体管极性为N沟道,典型的关断延迟时间为21ns,典型的接通延迟时间为33ns,Qg栅极电荷为70nC,正向跨导Min为49S,沟道模式为增强。
IRFS4227TRPBF,带有IR制造的用户指南。IRFS4227 TRPBF采用SOT263封装,是IC芯片的一部分。
IRFS4228PBF是由IR制造的MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK。IRFS4228 PBF有TO-263-3、D²Pak(2引线+接线片)、TO-263AB封装,是FET的一部分-单个,并支持MOSFET N-CH150V 83B D2PAK、Trans MOSFET N-CH250V 83A 3-Pin(2+Tab)D2PAK T/R。