9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRLH5036TR2PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRLH5036TR2PBF参考价格$4.734。Infineon Technologies IRLH5036TR2PBF封装/规格：MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN。您可以下载IRLH5036TR2PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRLH5030TRPBF是MOSFET N-CH 100V 13A 8PFN，包括卷轴封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于PQFN-8，提供Si等技术特性，通道数设计用于1通道，以及单四漏极三源配置，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为3.6W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为41ns，上升时间为72ns，Vgs栅极-源极电压为16V，Id连续漏极电流为88A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅-源极阈值电压为2.5V，并且Rds导通漏极-源极电阻为9.9m欧姆，并且晶体管极性为N沟道，并且典型关断延迟时间为41ns，并且典型接通延迟时间为21ns，并且Qg栅极电荷为44nC，并且正向跨导Min为160S。
IRLH5034TRPBF是MOSFET N-CH 40V 100A 8-PQFN，包括16 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在40 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。数据表注释中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计为在Si中工作，该器件也可以用作82nC Qg栅极电荷。此外，Pd功耗为250W，该器件采用卷筒包装，该器件具有PQFN-8封装盒，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，Id连续漏电流为100A。
IRLG5AB 300X200X0.5，带电路图，包括合成树脂、导电双面胶，其设计长度为11.81“（300mm），系列如IRL中使用的数据表注释所示，该IRL提供了板材等形状特征，温度范围设计为-40～185°F（-40～85°C），以及0.02”（0.5mm）总厚度，该装置也可以用作7.874“（200.00mm）宽。
