9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFH5106TRBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFH5106TRPBF参考价格$4.198。Infineon Technologies IRFH5106TRPBF封装/规格：MOSFET N-CH 60V 21A/100A 8PFN。您可以下载IRFH5106TRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFH5104TRPBF是MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 3.5欧姆53nC，包括卷轴封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于PQFN-8，提供Si等技术特性，通道数设计用于1通道，以及单四漏三源配置，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为114 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为15 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为100 A，Vds漏极-源极击穿电压为40 V，Rds漏极源极电阻为3.5 mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型接通延迟时间为9.5ns，Qg栅极电荷为53nC，沟道模式为增强。
IRFH5053TRPBF是MOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN56，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于8.6 ns，提供典型的关断延迟时间功能，如18 ns，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，上升时间为14.6ns，器件提供18 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有24nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为3.1W，封装为卷轴式，封装盒为PQFN-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为46 A，下降时间为9.9 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRFH5104PBF带有由IR制造的电路图。IRFH5104FBF采用QFN-8封装，是IC芯片的一部分。
