9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFH5207TRBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFH5207TRPBF参考价格为5.404美元。Infineon Technologies IRFH5207TRPBF封装/规格：MOSFET N-CH 75V 13A/71A 8PFN。您可以下载IRFH5207TRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFH5206TRPBF是MOSFET N-CH 60V 16A 8-PQFN，包括卷轴封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于PQFN-8，该PQFN-8提供Si等技术特性，通道数设计用于1通道，以及单配置，该器件也可以用作1 N通道晶体管类型。此外，Pd功耗为100W，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为8.2 ns，上升时间为11 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为89 A，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Vgs栅-源极阈值电压为4 V，并且Rds导通漏极-源极电阻为6.7mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为22ns，典型接通延迟时间为6.4ns，Qg栅极电荷为40nC，正向跨导最小值为73S，沟道模式为增强。
IRFH5204TRPBF是MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 4.3mOhms 42nC，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在40 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于8.4 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如18 ns，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，上升时间为14 ns，该器件的漏极-源极电阻为4.3 mOhms Rds，该器件具有42 nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为105 W，封装为卷轴式，封装盒为PQFN-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为100 A，下降时间为8.3 ns，配置为单四漏三源，通道模式为增强。
IRFH5206，带有由IR制造的电路图。IRFH5205采用QFN封装，是FET的一部分-单体。
