起订量: 1
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
IRF6614将最新的HEXFET®功率MOSFET硅技术与先进的DirectFETTM封装相结合，在占地面积为MICRO-8且外形仅为0.7mm的封装中实现最低的导通电阻。DirectFET封装与电力应用、PCB组装设备和气相、红外或对流焊接技术中使用的现有布局几何结构兼容，但在制造方法和工艺方面遵循应用说明AN-1035。DirectFET封装允许双面冷却，以最大化电力系统中的热传递，将以前的最佳热阻提高80%。
IRF6614平衡了低电阻和低电荷以及超低封装电感，以减少传导和开关损耗。降低的总损耗使该产品成为高效DC-DC转换器的理想选择，该转换器为最新一代的处理器提供更高频率的电源。IRF6614已针对12伏总线转换器的同步降压操作中的关键参数进行了优化，包括Rds（开）和栅极电荷，以最小化控制FET插座中的损耗。
专用MOSFET
无铅和无溴
薄型（<0.7 mm）
双面冷却兼容
超低封装电感
针对1MHz以上的高频开关进行了优化
DC-DC转换器中CPU核心和电信同步整流的理想选择
针对同步控制FET插座进行了优化。降压转换器
低传导损耗
与现有表面安装技术兼容
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IRFV064 | 英飞凌 (Infineon) | IRFV064 | ¥1,575.83775 |
 | IRF3205PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A（Tc） 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥12.96479 |
| IRFU7746PBF | TRENCH 40<-<100V | ¥3.59458 | |
| IRF60B217 | TRENCH 40<-<100V | ¥4.0955 | |
| IRFI3306GPBF | IRFI3306G - 60V SINGLE N-CHANNEL | ¥12.35349 | |
| IRFZ46ZSPBF | IRFZ46 - 12V-300V N-CHANNEL POWE | ¥4.76061 | |
 | IRFZ24NPBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc） 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.93918 |
 | IRF3710PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 57A (Tc) 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥14.19608 |
 | IRFB4228PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 83A (Tc) 最大功耗: 330W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥30.63747 |
 | IRFZ34NPBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A（Tc） 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.89476 |
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
