9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF6709S2TRBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF6709S2TRPBF参考价格$1.252。Infineon Technologies IRF6709S2TRPBF封装/规格：MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET。您可以下载IRF6709S2TRBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IRF6709S2TRBF价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IRF6702M2DTR1PBF带有引脚细节，包括HEXFETR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，包装盒如数据表注释所示，用于DirectFET？Isometric MA，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及DIRECTFET？MA供应商设备包，该设备也可以用作2 N通道（双）FET类型。此外，功率最大值为2.7W，该器件提供30V漏极到源极电压Vdss，该器件具有1380pF@15V的输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为15A，最大Id Vgs上的Rds为6.6mOhm@15A，10V，Vgs最大Id为2.35V@25μa，栅极电荷Qg-Vgs为14nC@4.5V。
IRF6702M2DTRPBF是MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET，包括2.35V@25μ？MA供应商设备包，系列如数据表注释所示，用于HEXFETR，其提供Rds on Max Id Vgs功能，如6.6 mOhm@15A、10V，功率最大设计为2.7W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该设备也可以用作DirectFET？等轴测MA封装盒，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1380pF@15V的输入电容Ciss Vds，栅极电荷Qg Vgs为14nC@4.5V，FET类型为2 N通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，25°C的电流连续漏电流Id为15A。
IRF6709S2TR1PBF是由IR制造的MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1™ 等距S1封装是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1、N沟道25V 12A（Ta）、39A（Tc）1.8W（Ta）和21W（Tc）表面安装DIRECTFET S1。
