9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF6713STRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF6713STRPBF价格参考10.186美元。Infineon Technologies IRF6713STRPBF封装/规格：MOSFET N-CH 25V 22A DIRECTFET。您可以下载IRF6713STRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF6712STRPBF是MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET，包括卷轴封装，它们设计用于SMD/SMT安装样式，商品名显示在数据表注释中，用于DIRECTFET，提供封装外壳功能，如DIRECTFET-2，技术设计用于Si，以及1信道数的信道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供2.2 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，下降时间为12 ns，上升时间为40 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为17 A，Vds漏极-源极击穿电压为25V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.9V，Rds导通漏极-漏极电阻为6.7mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为14ns，典型导通延迟时间为11ns，Qg栅极电荷为12nC，正向跨导Min为40S。
IRF6710S2TRPBF是MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET，包括1.8 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于25 V，提供典型的开启延迟时间功能，如7.9 ns，典型的关闭延迟时间设计为5.2 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件以20ns上升时间提供，器件具有5.9mOhms的Rds漏极-源极电阻，Qg栅极电荷为8.8nC，Pd功耗为15W，封装为卷轴，封装外壳为DirectFET-2，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏极电流为37 A，正向跨导最小值为21 S，下降时间为6 ns，配置为单一。
IRF6712STR1PBF是由IOR制造的MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET。IRF6712STR1PBF可用于DirectFET™ 等距SQ封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET、N沟道25V 17B（Ta）、68A（Tc）2.2W（Ta）和36W（Tc）表面安装DIRECTFET？SQ，Trans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6引脚直接FET SQ T/R。
