9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STW25N95K3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STW25N95K3参考价格$4.768。STMicroelectronics STW25N95K3封装/规格：MOSFET N-CH 950V 22A TO247。您可以下载STW25N95K3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STW24NM60N是MOSFET N-CH 600V 17A TO247，包括N沟道MDmesh系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，具有通孔等安装方式特征，封装盒设计用于to-247-3，以及Si技术，该器件也可以用作1信道数的信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有125 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为37 ns，上升时间为16.5 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为17 a，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为190mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为73ns，典型接通延迟时间为11.5ns，Qg栅极电荷为46nC，沟道模式为增强。
STW25N80K5是MOSFET N-CH 800V 19.5A TO247，包括4 V Vgs第栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于800 V，提供单位重量功能，如1.340411盎司，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，该系列为MDmesh K5，器件提供260 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有40 nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为250 W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为19.5 A，配置为单通道，通道模式为增强型。
STW24NM65N是由ST制造的MOSFET N-CH 650V 19A TO-247。STW24MM65N可在TO-247-3封装中获得，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH650V 19A-TO-247、N沟道650V 19A（Tc）160W（Tc。
