9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STP7NM60N,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。STP7NM60N价格参考1.49美元。STMicroelectronics STP7NM60N封装/规格:MOSFET N-CH 600V 5A TO220。您可以下载STP7NM60N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的,您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,例如STP7NM60N价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
STP7NK80Z是MOSFET N-CH 800V 5.2A TO-220,包括N沟道MDmesh系列,它们设计用于管式封装,单位重量显示在数据表注释中,用于0.050717盎司,提供安装方式功能,如通孔,封装盒设计用于TO-220-3,以及Si技术,该器件也可以用作1信道数的信道。此外,该配置为单一配置,该器件为1 N沟道晶体管类型,该器件具有125 W的Pd功耗,其最大工作温度范围为+150 C,其最小工作温度范围是-55 C,下降时间为20 ns,上升时间为12 ns,Vgs栅极-源极电压为30 V,Id连续漏极电流为5.2 a,Vds漏极-源极击穿电压为800V,Rds导通漏极-漏极电阻为1.8欧姆,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为45ns,典型接通延迟时间为20ns,Qg栅极电荷为40nC,正向跨导最小值为5S,沟道模式为增强。
STP7NK80ZFP是MOSFET N-CH 800V 5.2A TO-220FP,包括30 V Vgs栅极-源极电压,它们设计用于800 V Vds漏极-源极击穿电压,单位重量如数据表注释所示,用于0.071959盎司,提供典型的开启延迟时间功能,如20 ns,典型的关闭延迟时间设计为45 ns,该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外,该技术为Si,该器件为N沟道MDmesh系列,该器件的上升时间为12 ns,漏极-源极电阻Rds为1.8欧姆,Qg栅极电荷为40 nC,Pd功耗为30 W,封装为管,封装盒为TO-220-3,通道数为1通道,安装方式为通孔,其最小工作温度范围为-55℃,最大工作温度范围+150℃,Id连续漏极电流为5.2 A,正向跨导最小值为5 S,下降时间为20 ns,配置为单一,信道模式为增强。
STP7NM50N是由ST制造的MOSFET N-CH 500V 5A TO-220。STP7NM500N可在TO-220-3封装中获得,是FET的一部分-单个,并支持MOSFET N-CH500V 5A TO/220、N通道500V 5A(Tc)45W(Tc)通孔TO-220AB。