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STU85N3LH5是MOSFET N-CH 30V 80A IPAK，包括N沟道STripFET系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，具有通孔等安装方式功能，封装盒设计用于IPAK-3，以及Si技术，该器件也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有70W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为10.8 ns，上升时间为14 ns，Vgs栅极-源极电压为22 V，Id连续漏极电流为80 a，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为5.4mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为23.6ns，典型接通延迟时间为6ns，沟道模式为增强型。
带有SAMHOP制造的用户指南的STU816S。STU816S采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
STU8405，电路图由SAMHOP制造。STU8405采用SOP8封装，是IC芯片的一部分。
