9icnet为您提供Nexperia USA Inc.设计生产的BUK9Y19-55B/C2115,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂、代理商等渠道购买。BUK9Y19-55B/C2115参考价格为0.60000美元。Nexperia USA Inc.BUK9Y19-55B/C2115封装/规格:MOSFET N-CH 55V 46A LFPAK56。您可以下载BUK9Y19-55B/C2115英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的,您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,例如BUK9Y19-55B/C2115价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
BUK9Y11-80EX是MOSFET N沟道80 V 11 mo FET,包括卷盘封装,它们设计为采用SMD/SMT安装方式操作,数据表说明中显示了用于LFPAK-4的封装盒,该LFPAK-4提供Si等技术特性,沟道数设计为在1沟道中工作,以及单配置,该器件也可以用作1 N沟道晶体管类型。此外,Pd功耗为194 W,其最大工作温度范围为+175 C,其最小工作温度范围是-55 C,下降时间为36 ns,上升时间为40 ns,Vgs栅极-源极电压为15 V,Id连续漏极电流为84 A,Vds漏极-源极击穿电压为80 V,第Vgs栅极源极阈值电压为1.7 V,Rds漏极-源极电阻为8.1毫欧姆,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为62纳秒,典型接通延迟时间为23纳秒,Qg栅极电荷为44.2纳秒,沟道模式为增强型。
BUK9Y14-40B,带有NXP制造的用户指南。BUK9Y14-40B在TO252-4封装中提供,是FET的一部分-单个。
BUK9Y19-100E,电路图由NEXPERI制造。BUK9Y19-100E采用SOT669封装,是IC芯片的一部分。
BUK9Y19-55B,带有NXP制造的EDA/CAD模型。BUK9Y19-55B在LFPAK封装中提供,是FET的一部分-单个。