9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STB16NF25，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STB16NF25参考价格为1.902美元。STMicroelectronics STB16NF25封装/规格：MOSFET N-CH 30V 14.5A D2PAK。您可以下载STB16NF25英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STB16NF06LT4是MOSFET N-CH 60V 16A D2PAK，包括STripFET？系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+标签）、to-263AB以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件包的D2PAK，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为45W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为345pF@25V，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为16A（Tc），最大Id Vgs的Rds为90mOhm@8A，10V，Vgs的最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为10nC@4.5V，Pd功耗为45W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12.5 ns，上升时间为37ns，Vgs栅极-源极电压为16V，Id连续漏极电流为16A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-漏极电阻为90m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型导通延迟时间为10ns，正向跨导最小值为17S，信道模式是增强。
STB16N65M5是MOSFET N-Ch MDMesh M5 650V 0.270 Ohm 12A D2PAK，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在25 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于650 V，提供单位重量功能，如0.13932 oz，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，该系列为MDmesh M5，该器件提供270 mOhms Rds漏极-源极电阻，该器件具有31 nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为90 W，封装为卷轴式，封装盒为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为12 A，配置为单一。
STB16NB25带有ST制造的电路图。STB16NB 25采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
STB16NF06L带有由VB制造的EDA/CAD模型。STB16NF-06L采用TO263封装，是FET的一部分-单个。
