9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRL640，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRL640参考价格为2.24美元。Vishay Siliconix IRL640封装/规格：MOSFET N-CH 200V 17A TO220AB。您可以下载IRL640英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRL6372TRPBF是MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC，包括HEXFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.019048盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2通道数量的通道，器件具有8-SO供应商器件封装，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），功率最大值为2W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为1020pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为8.1A，最大Id Vgs上的Rds为17.9mOhm@8.1A，4.5V，Vgs最大Id为1.1V@10μA，栅极电荷Qg-Vgs为11nC@4.5V，Pd功耗为2W，Vgs栅极-源极电压为12V，Id连续漏极电流为8.1A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极源极电阻为17.9mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为11nC。
IRL6372PBF是MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO，包括1.1V@10μA Vgs th Max Id，它们设计用于12 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于30 V，提供单位重量功能，如0.019048盎司，晶体管类型设计用于2 N沟道，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作Si技术。此外，供应商器件封装为8-SO，器件为HEXFETR系列，器件具有17.9 mOhm@8.1A、4.5V Rds On Max Id Vgs，Rds On Drain Source电阻为17.9 mOhms，Qg栅极电荷为11nC，功率最大值为2W，Pd功耗为2W，封装外壳为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽），工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，输入电容Cis-Vds为1020pF@25V，Id连续漏极电流为8.1 A，栅极电荷Qg-Vgs为11nC@4.5V，FET类型为2 N通道（双），FET功能为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为8.1A，配置为双。
IRL6342TRPBF是MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC，包括单一配置，它们设计为在14 ns下降时间下工作，数据表注释中显示了用于38 S的正向跨导最小值，提供Id连续漏极电流特性，如9.9A，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，器件采用SO-8封装盒，器件具有一个封装盘，Pd功耗为2.5W，Qg栅极电荷为11nC，Rds漏极源极电阻为15mOhm，上升时间为12ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N信道，典型关断延迟时间为33ns，典型接通延迟时间为6ns，单位重量为0.017870oz，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅-源极电压为12V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.1V。
