9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDA2712，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDA2712参考价格为0.64美元。onsemi FDA2712封装/规格：MOSFET N-CH 250V 64A TO3PN。您可以下载FDA2712英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDA24N40F是MOSFET N-CH 400V 23A TO-3PN，包括UniFET？系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.225789盎司，具有通孔等安装方式功能，包装箱设计用于to-3P-3、SC-65-3以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-3PN，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为235W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为400V，输入电容Cis-Vds为3030pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为23A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为190 mOhm@11.5A，10V，Vgs最大Id为5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为60nC@10V，Pd功耗为235 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为75 ns，上升时间为92ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为23A，Vds漏极-源极击穿电压为400V，Rds导通漏极-漏极电阻为190mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为120ns，典型导通延迟时间为40ns，沟道模式为增强型。
FDA24N50F是MOSFET N-CH 500V 24A TO-3，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于500 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.225789盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如49 ns，典型的关闭延迟时间设计为165 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为105 ns，器件的漏极电阻为200 mOhms，Pd功耗为270 W，封装为管，封装外壳为TO-3P-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏极电流为24A，正向跨导最小值为30S，下降时间为87ns，配置为单一，信道模式为增强。
FDA24N50是MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PN，包括增强信道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了86纳秒的下降时间，提供了连续漏电流特性，如24 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-3P-3封装盒，该器件具有封装管，Pd功耗为270W，Rds漏极-源极电阻为190mOhms，上升时间为108ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N信道，典型关断延迟时间为164ns，典型接通延迟时间为47ns，单位重量为0.225789oz，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅极-源极电压为30V。
