9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRLL014TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRLL014TR参考价格为1.452美元。Vishay Siliconix IRLL014TR封装/规格：MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223。您可以下载IRLL014TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRLL014NTRPBF是MOSFET N-CH 55V 2A SOT223，包括HEXFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.006632盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-261-4、to-261AA以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-223，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为55V，输入电容Cis-Vds为230pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为2A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为140 mOhm@2A，10V，Vgs最大Id为2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为14nC@10V，Pd功耗为2.1 W，Vgs栅极-源极电压为16 V，Id连续漏极电流为2 A，Vds漏极-源极击穿电压为55 V，漏极-漏极电阻为280 mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为9.5nC。
IRLL014NPBF是MOSFET N-CH 55V 2A SOT223，包括2 V Vgs第二栅极-源极阈值电压，它们设计为在16 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于55 V，提供单位重量功能，如0.006632 oz，典型开启延迟时间设计为5.1 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件的上升时间为4.9 ns，漏极-源极电阻Rds为140 mOhms，Qg栅极电荷为9.5 nC，Pd功耗为2.1 W，封装为管，封装盒为SOT-223-4，沟道数为1沟道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为2A，正向跨导最小值为2.3 S，下降时间为2.9 ns，配置为单一，信道模式为增强。
IRLL014PBF是MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223，包括增强通道模式，它们设计用于单双漏极配置，下降时间显示在数据表注释中，用于26 ns，提供Id连续漏极电流特性，如2.7 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用SOT-223-3封装盒，该器件具有封装管，Pd功耗为2W，Rds漏极-源极电阻为200mOhm，上升时间为110ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N信道，典型关断延迟时间为17ns，典型的接通延迟时间为9.3ns，单位重量为0.008826oz，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极电压为10V。
IRLL014NTR是由IRF制造的MOSFET N-CH 55V 2A SOT223。IRLL014NTR可在TO-261-4、TO-261AA封装中获得，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 55V 2A SOT223、N沟道55V 2A（Ta）1W（Ta）表面安装SOT-223。
