9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDP8442，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FDP8442参考价格为7.314美元。onsemi FDP8442封装/规格：MOSFET N-CH 40V 23A/80A TO220-3。您可以下载FDP8442英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDP8440是MOSFET N-CH 40V 100A TO-220，包括管封装，它们设计用于0.063493盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供306 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为290 ns，上升时间为130 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为277 A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Rds漏极漏极-漏极电阻为2.2mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为435ns，典型接通延迟时间为43ns，沟道模式为增强。
FDP8441是MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在40 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在0.063493盎司的数据表注释中，提供典型的开启延迟时间功能，如23 ns，典型的关闭延迟时间设计为75 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为24 ns，器件的漏极电阻为2.7 mOhms，Pd功耗为300 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为80 A，下降时间为17.9 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FDP8441_F085，带有FSC制造的电路图。FDP8441_F085在TO-220-3封装中提供，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB、N沟道40V 23A（Ta）、80A（Tc）300W（Tc）通孔TO-220AA。
