9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRLL110，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRLL110参考价格为1.272美元。Vishay Siliconix IRLL110封装/规格：MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223。您可以下载IRLL110英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRLL024ZPBF是MOSFET N-CH 55V 5A SOT-223，包括管封装，它们设计为以0.006632盎司的单位重量运行，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供SOT-223-4等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单双漏极配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供2.8 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为15 ns，上升时间为33 ns，Vgs栅源电压为16 V，Id连续漏电流为5 A，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Rds漏极漏极-漏极电阻为100mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型接通延迟时间为8.6ns，Qg栅极电荷为7nC，沟道模式为增强。
IRLL024ZTRPBF是MOSFET N-CH 55V 5A SOT223，包括3 V Vgs的栅极-源极阈值电压，它们被设计为在55 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006632盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道中工作，以及Si技术，该器件也可以用作33ns上升时间。此外，Rds漏极-源极电阻为60 mOhm，器件提供11 nC Qg栅极电荷，器件具有3.8 W的Pd功耗，封装为卷轴式，封装外壳为SOT-223-4，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最大工作温度范围为+150 C，Id连续漏极电流为5 a，正向跨导Min为7.5S，下降时间为15ns，配置为Single。
IRLL024Z-ND，带有由IR制造的电路图。IRLL024Z ND可在SOT-223封装中获得，是FET的一部分-单个。
