9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRLL110TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRLL110TR参考价格为0.738美元。Vishay Siliconix IRLL110TR封装/规格：MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223。您可以下载IRLL110TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRLL110PBF是MOSFET N-Chan 100V 1.5 Amp，包括管封装，它们设计为以0.008826 oz的单位重量运行，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供SOT-223-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单双漏极配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供2 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为18 ns，上升时间为47 ns，Vgs栅极-源极电压为10 V，Id连续漏极电流为1.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds漏极漏极-漏极电阻为540mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为16ns，典型接通延迟时间为9.3ns，沟道模式为增强。
IRLL024ZTRPBF是MOSFET N-CH 55V 5A SOT223，包括3 V Vgs的栅极-源极阈值电压，它们被设计为在55 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006632盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道中工作，以及Si技术，该器件也可以用作33ns上升时间。此外，Rds漏极-源极电阻为60 mOhm，器件提供11 nC Qg栅极电荷，器件具有3.8 W的Pd功耗，封装为卷轴式，封装外壳为SOT-223-4，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最大工作温度范围为+150 C，Id连续漏极电流为5 a，正向跨导Min为7.5S，下降时间为15ns，配置为Single。
IRLL110是由IR制造的MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223。IRLL110以TO-261-4、TO-261AA封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH100V 1.5B SOT223、N沟道100V 1.5C（Ta）2W（Ta）、3.1W（Tc）表面安装SOT-223、Trans-MOSFET N-CH 100 V 1.5A 4引脚（3+Tab）SOT-223。
