描述
国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的工艺技术，以实现每个硅区域的最低导通电阻。这一优势，加上HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计者提供了一种适用于各种应用的极为高效的器件。
逻辑电平门驱动
超低导通电阻
表面安装（IRLR2703）
直导线（IRLU2703）
先进工艺技术
快速切换
完全雪崩等级
IRLU2703
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A（Tc） 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥23.19177
-
数量:
- +
- 总计: ¥23.19
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规格参数
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 安装类别 通孔
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 最大功耗 45W (Tc)
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±16V
- 包装/外壳 TO-251-3短引线，IPak，TO-251AA
- 供应商设备包装 I-PAK
- 漏源电流 (Id) @ 温度 23A（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 45毫欧姆 @ 14A, 10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 15 nC @ 4.5 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 450 pF @ 25 V
- 部件状态 过时的
IRLU2703 产品详情
IRLU2703 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IRL 81A-RS | 欧思朗 (OSRAM) | HIGH POWER INFRARED EMITTER 850N | ¥61.65157 |
 | IRL3803PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 140A（Tc） 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥16.94839 |
 | IRLB8721PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 62A (Tc) 最大功耗: 65W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥8.9812 |
 | IRLML6401 | 合科泰 (Hottech) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：4.3A 功率(Pd)：1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：50mΩ@4.5V,4.3A | ¥0.38966 |
 | IRLML6402 | 合科泰 (Hottech) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3.7A 功率(Pd)：1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：65mΩ@4.5V,3.7A | ¥0.47369 |
| IRLML6244TR(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.48143 |
| IRLML0030TR(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.41637 |
| IRLML6246TR(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.48143 |
| IRLML2803TR(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.4118 |
| IRLML0100TR(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.68776 |
IRLU2703所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRLU2703 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRLU2703价格参考￥23.191766，你可以下载 IRLU2703中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRLU2703规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
