9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF1503STRRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF1503STRRPBF参考价格$2.43。Infineon Technologies IRF1503STRRPBF封装/规格：MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK。您可以下载IRF1503STRRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRF1503STRLPBF是MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 130nC，包括卷筒封装，它们设计为在0.139332盎司单位重量下工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，该设备也可以用作单频源配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供200 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为48 ns，上升时间为130 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为75 A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为3.3mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为59ns，典型接通延迟时间为17ns，Qg栅极电荷为130nC，正向跨导最小值为75S，沟道模式为增强。
IRF1503SPBF是MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如17 ns，典型的关闭延迟时间设计为59 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为130 ns，器件的漏极-源极电阻为3.3 mOhm，Qg栅极电荷为130 nC，Pd功耗为200 W，封装为管，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+175 C，Id连续漏电流为190 A，下降时间为48 ns，配置为单一，通道模式为增强。
IRF1503S，带有由IR制造的电路图。IRF1503S采用D2 Pak封装，是FET的一部分-单体。
IRF1503S/XF1503S带有由IR制造的EDA/CAD模型。IRF1503S/CF11503S采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
