9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFS59N10DTRRP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFS59N10DTRRP参考价格为0.404美元。Infineon Technologies IRFS59N10DTRRP封装/规格：MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK。您可以下载IRFS59N10DTRRP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFS59N10DPBF是MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK，包括管封装，它们设计为以0.139332盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供200 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为90 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为59 A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds漏极漏极-漏极电阻为25mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型接通延迟时间为16ns，Qg栅极电荷为76nC，沟道模式为增强。
IRFS59N10DTRLP是MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如16 ns，典型的关闭延迟时间设计为20 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件在90 ns上升时间内提供，器件具有25 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Qg栅极电荷为76 nC，Pd功耗为200 W，封装为卷轴，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，并且Id连续漏极电流为59A，并且下降时间为12ns，并且配置为单，并且信道模式为增强。
IRFS59N10DTRL是由IR制造的MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK。IRFS59N1 0DTRL有TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是FET的一部分-单，支持MOSFET N-CH100V 59B D2PAK。
IRFS59N10DTRR是由IR制造的MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK。IRFS59N1 0DTRR有TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是FET的一部分-单，支持MOSFET N-CH100V 59B D2PAK。
