国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的工艺技术,以实现每个硅区域的最低导通电阻。这一优势,加上HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计,为设计者提供了一种适用于各种应用的极为高效的器件。
IRLZ44
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 150W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
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- 单价: ¥60.04364
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规格参数
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 场效应管特性 -
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 至220-3
- 供应商设备包装 TO-220AB
- 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±10V
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4V, 5V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 50A (Tc)
- 最大功耗 150W(Tc)
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3300 pF @ 25 V
- 部件状态 过时的
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 66 nC @ 5 V
- 导通电阻 Rds(ON) 28毫欧姆@31A,5V
IRLZ44 产品详情
IRLZ44所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IRLZ44 由 黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRLZ44价格参考¥60.043641,你可以下载 IRLZ44中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRLZ44规格参数、现货库存、封装信息等信息!
黑森尔 (Vishay Siliconix)
Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...