- 应用范围：开关稳压器
- 极性：N-ch
- 生成：π-MOSⅦ
- 内部连接：单个
- RoHS兼容产品（#）：可用
- 组装基地：马来西亚
特色
- 装配底座：4.4 V
- 装配底座：1.9Ω
- 装配底座：600 pF
- 装配底座：12 nC
应用
开关稳压器
TK4A65DA(STA4,Q,M)
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A（Ta） 最大功耗: 35W (Tc) 供应商设备包装: TO-220SIS 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 东芝 (Toshiba)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥36.60562
-
数量:
- +
- 总计: ¥36.61
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 安装类别 通孔
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 包装/外壳 TO-220-3全套
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 12 nC@10 V
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 漏源电流 (Id) @ 温度 3.5A（Ta）
- 最大功耗 35W (Tc)
- 漏源电压标 (Vdss) 650 V
- 制造厂商 东芝 (Toshiba)
- 供应商设备包装 TO-220SIS
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 600 pF @ 25 V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.4V @ 1毫安
- 导通电阻 Rds(ON) 1.9欧姆@1.8A，10V
TK4A65DA(STA4,Q,M) 产品详情
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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TK4A65DA(STA4,Q,M)所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，TK4A65DA(STA4,Q,M) 由 东芝 (Toshiba) 设计生产，可通过久芯网进行购买。TK4A65DA(STA4,Q,M)价格参考￥36.605617，你可以下载 TK4A65DA(STA4,Q,M)中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询TK4A65DA(STA4,Q,M)规格参数、现货库存、封装信息等信息！
东芝 (Toshiba)
东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案，使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。
