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PSMN034-100BS，118是MOSFET N-CH 100V 32A D2PAK，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于to-263-3、D2PAK（2引线+接线片）、to-263AB封装盒，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计用于D2PAK，除了MOSFET N沟道、金属氧化物FET类型之外，该器件还可以用作86W功率最大值。此外，漏极到源极电压Vdss为100V，该器件提供的输入电容为1201pF@50V Ciss Vds，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为32A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为34.5 mOhm@15A、10V，Vgs最大Id为4V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为23.8nC@10V。
带有NXP制造的用户指南的PSMN030-60YS。PSMN030-60YS以SOT-669封装形式提供，是FET的一部分-单个。
PSMN034-100PS是NXP/PH制造的MOSFET N-CH 100V TO220AB。PSMN034-100PS在TO-220-3封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 100V TO220AB。
PSMN035-100LS，带有NXP制造的EDA/CAD模型。PSMN035-100LS在QFN封装中提供，是FET的一部分-单个。
