9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的SI3443DVTR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI3443DVTR价格参考1.892美元。Infineon Technologies SI3443DVTR封装/规格：MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP。您可以下载SI3443DVTR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI3443DV-T1-E3是MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6，包括PowerTrenchR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI3443DV_NL的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.001270盎司，安装样式设计为适用于SMD/SMT，以及SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为6-SSOT，配置为单四漏极，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为800mW，晶体管类型为1 P沟道，漏极-源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为640pF@10V，FET特性为逻辑电平门，2.5V驱动，电流连续漏极Id 25°C为4A（Ta），最大Id Vgs的Rds为65mOhm@4A，4.5V，Vgs最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为10nC@4.5V，Pd功耗为1.6W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为19 ns，上升时间为19纳秒，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为-4 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，Rds漏极源极电阻为65 mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为26ns，典型接通延迟时间为11ns，正向跨导最小值为9S，信道模式为增强。
SI3443DV-T1-GE3，带有VISHAY制造的用户指南。SI3443DV-T1-GE3采用SOT-163封装，是IC芯片的一部分。
SI3443DV-TI，带有SI制造的电路图。SI3443DV-TI以SOT23-6封装形式提供，是IC芯片的一部分。
