VDSS=-30伏
RDS（开）=0.020Ω
这些来自International Rectifier的P沟道HEXFET®功率MOSFET采用先进的处理技术，实现每硅面积极低的导通电阻。这一优势为设计者提供了一种用于电池和负载管理应用的极其高效的设备。。
超低导通电阻
P沟道MOSFET
表面贴装
提供磁带和卷轴
特色
- 符合RoHS
- 行业领先的质量
- P沟道MOSFET
SI4435DYTR
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta） 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥29.84075
-
数量:
- +
- 总计: ¥29.84
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
- 场效应管类型 P-通道
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
- 供应商设备包装 8-SO
- 最大功耗 2.5W（Ta）
- 漏源电流 (Id) @ 温度 8A (Tc)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 60 nC @ 10 V
- 部件状态 过时的
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2320 pF@15 V
- 导通电阻 Rds(ON) 20毫欧姆@8A，10V
SI4435DYTR 产品详情
SI4435DYTR 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | SI47920A2GE1AM | 思佳讯商贸 (Skyworks) | FM AM AUTO | ¥164.8484 |
 | SI4122-D-GTR | 思佳讯商贸 (Skyworks) | 电源电压: 2.7伏~3.6伏 输入比率 / 输出比率: 1:2 最大频率: 1.5GHz 供应商设备包装: 24 TSSOP 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥42.6969 |
| SI4737-C-EVB | 思佳讯商贸 (Skyworks) | 种类: 接收者 配套使用/相关货物: SI4737 频率: 520千赫兹 ~ 1.71MHz, 64MHz ~ 108MHz, 162.4MHz ~ 162.55MHz 随附物品: 董事会 | ¥1,204.69707 |
| SI4401BDY(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥1.86868 |
 | SI4438S4S-V1-B1C | 沃进 (Vollgo) | 暂无 | ¥17.58231 |
 | SI4463S89S-V1-C2A | 沃进 (Vollgo) | 暂无 | ¥15.36481 |
 | SI4438S4S-V1-C2A | 沃进 (Vollgo) | 暂无 | ¥14.18776 |
 | SI4463S4S-V1-B1B | 沃进 (Vollgo) | 暂无 | ¥15.95334 |
 | SI4463S4S-V1-C2A | 沃进 (Vollgo) | 暂无 | ¥15.36481 |
| SI4-G | 能斯达电子 (LEANSTAR) | 暂无 | ¥19.25331 |
SI4435DYTR所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SI4435DYTR 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SI4435DYTR价格参考￥29.840748，你可以下载 SI4435DYTR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SI4435DYTR规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
