9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPD78CN10NGBUMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPD78CN10NGBUMA1参考价格为0.21000美元。Infineon Technologies IPD78CN10NGBUMA1封装/规格：MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3。您可以下载IPD78CN10NGBUMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPD78CN10NGATMA1具有引脚细节，包括卷筒封装，它们设计为与G IPD78CN20N SP001127814部件别名一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，以及1信道数量的信道，该设备也可以用作1 N信道配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供31 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为3 ns，上升时间为4 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为13 A，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，Vgsth栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-源极电阻为78mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为13ns，典型接通延迟时间为9ns，Qg栅极电荷为8nC，正向跨导最小值为7S，沟道模式为增强。
IPD78CN10N G是MOSFET N-Ch 100V 13A DPAK-2 OptiMOS 2，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如9 ns，典型的关闭延迟时间设计为13 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为OptiMOS，该器件采用Si技术，该器件具有OptiMOS 2系列，上升时间为4 ns，漏极电阻Rds为78 mOhms，Pd功耗为31 W，部件别名为IPD78CN10NGBUMA1 IPD78CN00NGXT SP000096460，包装为卷筒，包装箱为TO-252-3，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为13 A，下降时间为3 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPD78CN10N，带有INFINEON制造的电路图。IPD78CN10N采用TO-252封装，是FET的一部分-单个。
IPD78CN10NG，带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。IPD78CN10NG以SOT-252封装形式提供，是FET的一部分-单个。
