9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFHM831TRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFHM831TRPBF参考价格为11.448美元。Infineon Technologies IRFHM831TRPBF封装/规格：MOSFET N-CH 30V 14A/40A PQFN。您可以下载IRFHM831TRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFHM8235TRPBF带有引脚细节，包括IRFHM8235系列，它们设计用于卷筒包装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供商品名功能，如SmallPowIR，包装盒设计用于PQFN-8，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单四漏三源，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有3 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为5.2 ns，上升时间为16 ns，Vgs栅源电压为20 V，并且Id连续漏极电流为16A，Vds漏极-源极击穿电压为25V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.8V，Rds导通漏极-漏极电阻为10.3mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为7.5ns，典型导通延迟时间为7.9ns，Qg栅极电荷为7.7nC，并且正向跨导Min为43S。
IRFHM830DTRPBF是MOSFET MOSFT 30V 40A 4.3mOhm 1.1Ohm RG，包括1.8 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于30 V，提供典型的开启延迟时间功能，如9.8 ns，典型的关闭延迟时间设计为9.1 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为20ns，器件的漏极-源极电阻为5.7mOhms，Qg栅极电荷为13nC，Pd功耗为2.8W，封装为卷轴式，封装盒为PQFN-8，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为20 A，正向跨导最小值为69 S，下降时间为6.7 ns，配置为单四漏三源，信道模式为增强。
IRFHM830TRPBF是MOSFET N-CH 30V 21A PQFN，包括增强信道模式，它们设计用于单四漏三源配置，下降时间显示在数据表注释中，用于9.2 ns，提供正向跨导最小特性，如52 S，Id连续漏电流设计用于21 a，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃。此外，安装类型为SMD/SMT，器件提供1个通道数量的通道，器件具有PQFN-8封装盒，封装为卷筒，Pd功耗为2.7 W，Qg栅极电荷为31 nC，漏极-源极电阻为4.8 mOhm，上升时间为25ns，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为13ns，典型接通延迟时间为12ns，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极电压为20V，Vgs第h栅极-源阈值电压为1.8V。
