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IRF7663TR

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.2A (Ta) 供应商设备包装: Micro8
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥67.12720
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥67.13
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规格参数

  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) -
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 场效应管类型 P-通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.2V@250A.
  • 最大栅源极电压 (Vgs) -
  • 最大功耗 -
  • 工作温度 -
  • 部件状态 过时的
  • 供应商设备包装 Micro8
  • 包装/外壳 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00毫米 Width)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 45 nC @ 5 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 8.2A (Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 20欧姆@7A,4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2520 pF@10 V

IRF7663TR 产品详情

IRF7663TR所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IRF7663TR 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRF7663TR价格参考¥67.127197,你可以下载 IRF7663TR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRF7663TR规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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