9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFHM8329TRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFHM8329TRPBF参考价格为0.22000美元。Infineon Technologies IRFHM8329TRPBF封装/规格：MOSFET N-CH 30V 16A/57A PQFN。您可以下载IRFHM8329TRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFHM830TRPBF是MOSFET N-CH 30V 21A PQFN，包括卷筒封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于PQFN-8，该PQFN-8提供Si等技术特性，通道数设计用于1通道，以及单四漏三源配置，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为2.7W，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为9.2ns，上升时间为25ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为21A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅-源极阈值电压为1.8V，Rds漏极-源极电阻为4.8mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为13ns，典型接通延迟时间为12ns，Qg栅极电荷为31nC，正向跨导最小值为52S，沟道模式为增强。
IRFHM831TRPBF是MOSFET N-CH 30V 14A PQFN，包括1.8 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于30 V，提供典型的开启延迟时间特性，如6.9 ns，典型的关闭延迟时间设计为6.2 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为12 ns，器件的漏极-源极电阻为10.7 mOhms，Qg栅极电荷为7.3 nC，Pd功耗为2.5 W，封装为卷轴式，封装盒为PQFN-8，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为14A，正向跨导最小值为82S，下降时间为4.7ns，配置为单四漏三源。
IRFHM8326TRPBF是MOSFET N-CH 30V 25A PQFN，包括单四漏极三源极配置，它们设计为在12 ns下降时间下工作，数据表注释中显示了用于70 S的正向跨导最小值，提供19 a等Id连续漏极电流特性，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃，该器件也可以用作SMD/SMT安装型。此外，信道数为1信道，该器件在PQFN-8封装盒中提供，该器件具有一卷封装，Pd功耗为2.8W，Qg栅极电荷为29nC，Rds漏极-源极电阻为5.2mOhm，上升时间为35ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N信道，典型关断延迟时间为18ns，典型接通延迟时间为12ns，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极电压为20V，Vgs栅-源极阈值电压为1.7V。
