这些来自International Rectifier的N沟道MOSFET利用先进的处理技术实现了每硅面积极低的导通电阻。这一优势，加上HEXFET的快速开关速度和坚固的器件设计 功率MOSFET为设计者提供了一种用于电池和负载管理的极其高效和可靠的器件。
•超低导通电阻
•N沟道MOSFET
•SOT-23占地面积
•薄型（<1.1mm）
•提供磁带和卷轴
•快速切换
特色
- 符合RoHS
- 行业领先的质量
- 快速切换
- 薄型（小于1.1mm）
- SOT-23占地面积
应用
- 直流开关
- 负载开关
IRLML2502TR
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.2A (Ta) 供应商设备包装: Micro3/SOT-23
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥4.40368
-
数量:
- +
- 总计: ¥4.40
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规格参数
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） -
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.2V@250A.
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 12 nC @ 5 V
- 最大栅源极电压 (Vgs) -
- 最大功耗 -
- 工作温度 -
- 漏源电流 (Id) @ 温度 4.2A (Ta)
- 部件状态 过时的
- 供应商设备包装 Micro3/SOT-23
- 导通电阻 Rds(ON) 45毫欧姆 @ 4.2A, 4.5V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 740 pF @ 15 V
IRLML2502TR 产品详情
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | IRLML6402 | 合科泰 (Hottech) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3.7A 功率(Pd)：1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：65mΩ@4.5V,3.7A | ¥0.47369 |
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| IRLML0030TR(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.41637 |
| IRLML6246TR(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.48143 |
| IRLML2803TR(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.4118 |
| IRLML0100TR(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.68776 |
IRLML2502TR所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRLML2502TR 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRLML2502TR价格参考￥4.403683，你可以下载 IRLML2502TR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRLML2502TR规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
