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VDS-55伏
RDS（ON）典型值@VGS=-10V 93米Ω
RDS（ON）典型值@VGS=-4.5V 150米Ω
Qg典型值。31立方厘米
TJ最高175°C
该数字音频HEXFET®专为D类音频放大器应用而设计。该MosFET利用最新的处理技术实现每硅面积的低导通电阻。此外，优化了栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻，以提高D类音频放大器的关键性能因素，如效率、THD和EMI。该MosFET的其他特点是175°C工作结温度和重复雪崩能力。这些特性结合在一起，使这款MosFET成为D类音频放大器应用的高效、鲁棒和可靠设备。
● 先进工艺技术
● 为D类音频放大器应用优化的关键参数
● 低RDSON可提高效率
● 低Qg和Qsw可提高THD和效率
● 低Qrr可获得更好的THD和更低的EMI
● 175°C工作结温度，坚固耐用
● 鲁棒性和可靠性的重复雪崩能力
● 多个程序包选项
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IRL 81A-RS | 欧思朗 (OSRAM) | HIGH POWER INFRARED EMITTER 850N | ¥61.65157 |
 | IRL3803PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 140A（Tc） 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥16.94839 |
 | IRLB8721PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 62A (Tc) 最大功耗: 65W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥8.9812 |
 | IRLML6401 | 合科泰 (Hottech) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：4.3A 功率(Pd)：1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：50mΩ@4.5V,4.3A | ¥0.38966 |
 | IRLML6402 | 合科泰 (Hottech) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3.7A 功率(Pd)：1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：65mΩ@4.5V,3.7A | ¥0.47369 |
| IRLML6244TR(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.48143 |
| IRLML0030TR(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.41637 |
| IRLML6246TR(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.48143 |
| IRLML2803TR(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.4118 |
| IRLML0100TR(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.68776 |
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
