9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的MCP87130T-U/MF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MCP87130T-U/MF参考价格为2.67美元。Microchip Technology MCP87130T-U/MF封装/规格：MOSFET N-CH 25V 43A 8PDFN。您可以下载MCP87130T-U/MF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MCP87130T-U/LC是MOSFET N-CH 25V 8PDFN，包括卷盘封装，它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作，封装盒如数据表注释所示，用于PDFN-8，该PDFN-8提供Si等技术特性，通道数设计为在1个通道中工作，以及单三源配置，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为1.8 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为2.1 ns，上升时间为5.4 ns，Id连续漏极电流为42 A，Vds漏极-源极击穿电压为25 V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.35 V，并且Rds导通漏极-源极电阻为13.8m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为4.2ns，典型接通延迟时间为2.2ns，Qg栅极电荷为5.5nC，正向跨导Min为40S。
MCP87090T-U/LC是MOSFET N沟道9.0mohm MOSFET，包括1.35 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在25 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于2.5 ns，提供典型的关断延迟时间功能，如5.3 ns，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，上升时间为9.3 ns，器件提供10 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有7.5 nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为1.8 W，封装为卷轴式，封装盒为PDFN-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏极电流为48A，正向跨导最小值为62S，下降时间为2.9ns，配置为单三重源。
MCP87090T-U/MF是MOSFET N沟道9.0mohm MOSFET，包括单三源配置，它们设计为在2.9 ns下降时间下工作，数据表注释中显示了用于62 S的正向跨导最小值，其提供Id连续漏极电流特性，例如64 a，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃，该器件也可以用作SMD/SMT安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用PDFN-8封装盒提供，该器件具有一卷封装，Pd功耗为2.2W，Qg栅极电荷为7.5nC，Rds漏极源极电阻为10mOhm，上升时间为9.3ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N信道，典型关断延迟时间为5.3ns，典型接通延迟时间为2.5ns，Vds漏极-源极击穿电压为25V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.35V。
