9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的MCP87050T-U/MF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MCP87050T-U/MF价格参考1.888美元。Microchip Technology MCP87050T-U/MF封装/规格：MOSFET N-CH 25V 100A 8PDFN。您可以下载MCP87050T-U/MF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MCP87018T-U/MF是MOSFET N沟道1.8mohm MOSFET，包括卷轴封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于PDFN-8，该PDFN-8提供Si等技术特性，沟道数设计用于1沟道，以及单三源配置，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为2.2W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为28.05 ns，上升时间为28.3 ns，Id连续漏极电流为100 A，Vds漏极-源极击穿电压为25 V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.3 V，Rds导通漏极-源极电阻为2.2mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为26.35ns，典型接通延迟时间为6.53ns，Qg栅极电荷为32.5nC，正向跨导最小值为162S。
MCP87030T-U/MF是MOSFET N沟道3.0mohm MOSFET，包括1.3 V Vgs的栅极-源极阈值电压，它们设计为在25 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于5 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如14 ns，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，上升时间为17 ns，器件提供3.3 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有17 nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为2.2 W，封装为卷轴式，封装盒为PDFN-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为100 A，正向跨导最小值为113 S，下降时间为16 ns，配置为单三重源。
MCP87022T-U/MF是由Microchip制造的MOSFET NChanMOSFET。MCP87022T-U/MF以PDFN-8封装形式提供，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET NChan MOSFET、N沟道25V 100A（Tc）2.2W（Ta）表面安装8-PDFN（5x6）、Trans-MOSFET N-CH Si 25V 100A-8-Pin PDFN EP T/R、MOSFET NChanMOSFET、2.2mohm。
