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AUIRFS8408是MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.3mOhm 195A，包括管封装，它们设计为以0.139332盎司的单位重量运行，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供了CoolIRFet等商标功能，封装盒设计为在to-252-3以及Si技术中工作，该设备也可以用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有294 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为119 ns，上升时间为202 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为195 a，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.2V至3.9V，Rds漏极源极电阻为1.6mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为108ns，典型接通延迟时间为29ns，Qg栅极电荷为210nC，正向跨导Min为211S，信道模式是增强。
AUIRFS8408-7P是MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.3mOhm 195A，包括2.2 V至3.9 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计用于20 V Vgs栅-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于40 V，提供单位重量功能，如0.056438 oz，典型开启延迟时间设计为23 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以CoolIRFet商品名提供，该器件具有Si of Technology，上升时间为125纳秒，漏极-源极电阻Rds为1毫欧姆，Qg栅极电荷为210 nC，Pd功耗为294 W，封装为Tube，封装外壳为TO-263-7，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为240 A，正向跨导最小值为156 S，下降时间为85 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
AUIRFS8408-7TRL带电路图，包括240 A Id连续漏极电流，它们设计用于SMD/SMT安装方式，数据表说明中显示了用于1信道的信道数量，该信道提供to-263-7等封装外壳功能，封装设计用于卷筒，以及294 W Pd功耗，该器件也可以用作210nC Qg栅极电荷。此外，Rds漏极-源极电阻为700欧姆，该器件采用Si技术，该器件具有商品名CoolIRFet，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道、单位重量为0.056438盎司，Vds漏极源极击穿电压为40 V。
