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IRFS17N20D

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 140W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥5.50460
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥5.50
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 包装/外壳 到263-3,DPak(2根引线+接线片),TO-263AB
  • 漏源电压标 (Vdss) 200伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 供应商设备包装 D2PAK
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 16A(Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 50 nC @ 10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1100 pF@25 V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5.5V @ 250A
  • 部件状态 过时的
  • 最大功耗 3.8W (Ta), 140W (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 170毫欧姆@9.8A,10V

IRFS17N20D 产品详情

SMPS MOSFET

福利
● 低栅极至漏极电荷减少
开关损耗
● 全特性电容,包括
简化设计的有效COSS(参见
应用程序。注释AN1001)
● 完全特征化雪崩电压
和电流

应用
● 高频DC-DC转换器

IRFS17N20D所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IRFS17N20D 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRFS17N20D价格参考¥5.504604,你可以下载 IRFS17N20D中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRFS17N20D规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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