9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFR3704ZTRRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFR3704ZTRRPBF价格参考0.75美元。Infineon Technologies IRFR3704ZTRRPBF封装/规格：MOSFET N-CH 20V 60A DPAK。您可以下载IRFR3704ZTRRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFR3704ZPBF是MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 9.3nC，包括管封装，它们设计为在0.139332盎司单位重量下工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供48 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为8.9 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为60 A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.1V，Rds导通漏极-漏极电阻为9.2mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为4.9ns，典型接通延迟时间为41ns，Qg栅极电荷为9.3nC，正向跨导最小值为41S，沟道模式为增强。
IRFR3704ZTRPBF是MOSFET N-CH 20V 60A DPAK，包括2.1 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于20 V，提供单位重量功能，如0.13932 oz，典型开启延迟时间设计为41 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件的上升时间为8.9 ns，漏极-源极电阻Rds为9.2 mOhms，Qg栅极电荷为9.3 nC，Pd功耗为48 W，封装为卷轴式，封装盒为TO-252-3，沟道数为1沟道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏极电流为60 A，正向跨导最小值为41 S，下降时间为12 ns，配置为单一，信道模式为增强。
IRFR3704ZTRLPBF是MOSFET MOSFT 20V 60A 8.4mOhm 9.3nC，包括单一配置，它们设计为在12 ns的下降时间下工作，数据表注释中显示了用于41 S的正向跨导最小值，提供Id连续漏极电流功能，如60 a，其最大工作温度范围为+175 C，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为TO-252-3，器件采用卷筒封装，器件具有48W的Pd功耗，Qg栅极电荷为14nC，Rds漏极-源极电阻为8.4mOhms，上升时间为8.9ns，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，单位重量为0.13932盎司，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.55V。
IRFR3704ZTR带有由IR制造的EDA/CAD模型。IRFR3704 ZTR采用SOT252封装，是FET的一部分-单个。
