9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF6725MTRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF6725MTRPBF参考价格为0.932美元。Infineon Technologies IRF6725MTRPBF封装/规格：MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET。您可以下载IRF6725MTRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IRF6725MTRPBF价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IRF6725MTR1PBF是MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX，包括卷轴封装，它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作，数据表说明中显示了用于DIRECTFET-7的封装盒，该DIRECTFET-7提供Si等技术特性，通道数设计为在1通道中工作，以及单双漏双源配置，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为100W，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-40℃，下降时间为13ns，上升时间为22ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为170A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，第Vgs栅极-源极阈值电压为1.35V至2.35V，Rds导通漏极-源极电阻为3.2mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为19ns，典型接通延迟时间为16ns，Qg栅极电荷为36nC，正向跨导最小值为150S，沟道模式为增强。
IRF6724MTRPBF是MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.5mOhms 33nC，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。数据表注释中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N沟道，该器件还可以用作33nC Qg栅极电荷。此外，Pd功耗为89 W，该器件采用卷筒封装，该器件具有DirectFET-3封装盒，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，Id连续漏电流为150 a。
IRF6724MTR带有由IR制造的电路图。IRF6724MT可用于DIRECTFET？MX封装是FET的一部分-单个。
