9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFS33N15D，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFS33N15D参考价格为0.866美元。Infineon Technologies IRFS33N15D封装/规格：MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK。您可以下载IRFS33N15D英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFS3307ZTRRPBF是MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK，包括卷轴封装，它们设计为以0.139332盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供230 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为65 ns，上升时间为64 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为120 A，Vds漏极-源极击穿电压为75V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为5.8mOhms，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为79nC，正向跨导Min为320S。
IRFS3307ZTRLPBF是MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计用于75 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计用于N沟道以及Si技术，该器件也可以用作64ns上升时间。此外，Rds漏极-源极电阻为5.8 mOhm，器件提供110 nC Qg栅极电荷，器件具有230 W Pd功耗，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最大工作温度范围为+175 C，Id连续漏极电流为128 a，正向跨导Min为320S，下降时间为65ns，配置为Single。
IRFS3308TRPBF，带有由IR制造的电路图。IRFS3308MRPBF以SOT263封装形式提供，是IC芯片的一部分。
