9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的AUIRFSL8408，该产品在9icnet现场销售，可通过原始工厂和代理商等渠道购买。AUIRFSL8408价格参考1.66000美元。Infineon Technologies AUIRFSL8408封装/规格：MOSFET N-CH 40V 195A TO262。您可以下载AUIRFSL8408英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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AUIRFSL8405是MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.9mOhm 120A，包括管封装，其设计为单位重量为0.084199盎司，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供CoolIRFet等商品名功能，包装盒设计用于I2PAK-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有163 W的Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为77 ns，上升时间为128 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为120 a，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.2V至3.9V，Rds漏极源极导通电阻为2.3mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为55ns，典型接通延迟时间为14ns，Qg栅极电荷为107nC，正向跨导最小值为100S，信道模式是增强。
AUIRFSL8403是MOSFET Auto 40V N-Ch FET 2.6mOhm 123A，包括2.2 V至3.9 V Vgs第二栅极-源极阈值电压，它们设计用于20 V Vgs栅极-源电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于40 V，提供单位重量功能，如0.084199 oz，典型开启延迟时间设计为10 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以CoolIRFet商品名提供，该器件具有Si of Technology，上升时间为77ns，漏极-源极电阻Rds为3.3mOhms，Qg栅极电荷为62nC，Pd功耗为99W，封装为Tube，封装外壳为I2PAK-3，信道数为1沟道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为123 A，正向跨导最小值为269 S，下降时间为43 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
AUIRFSL8407是MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.4mOhm 195A，包括增强通道模式，它们设计为使用单一配置运行，数据表注释中显示了53纳秒的下降时间，提供了前向跨导最小特性，如160 S，Id连续漏极电流设计为在195 a下工作，其最大工作温度范围为+175 C，它的最低工作温度范围为-55℃。此外，安装方式为通孔，器件提供1个通道数量的通道，器件具有I2PAK-3封装盒，封装为管，Pd功耗为230 W，Qg栅极电荷为150 nC，Rds漏极-源极电阻为1.8 mOhms，上升时间为70 ns，技术为Si，商品名为CoolIRFet，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为78ns，典型接通延迟时间为14ns，单位重量为0.084199oz，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs栅极-源极电压为20V，Vgs第栅极-源极端电压为2V至4V。
